Биполярный транзистор 2SD2273 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2273
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TOP-3L
2SD2273 Datasheet (PDF)
2sd2273.pdf
Power Transistors2SD2273Silicon NPN triple diffusion planar type DarlingtonFor power amplificationUnit: mm 3.3 0.2Complementary to 2SB150020.0 0.5 5.0 0.33.0FeaturesOptimum for 40W HiFi outputHigh foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat):
2sd2276.pdf
Power Transistors2SD2276Silicon NPN triple diffusion planar type DarlingtonFor power amplificationUnit: mm 3.3 0.2Complementary to 2SB150320.0 0.5 5.0 0.33.0FeaturesOptimum for 110W HiFi outputHigh foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat):
2sd2275.pdf
Power Transistors2SD2275Silicon NPN triple diffusion planar type DarlingtonFor power amplificationUnit: mm 3.3 0.2Complementary to 2SB150220.0 0.5 5.0 0.33.0FeaturesOptimum for 55W HiFi outputHigh foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat):
2sd2276.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 7A, V = 5V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 7A, I = 7mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1503Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
2sd2271.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2271DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 500(Min)@ (V = 2V, I = 5A)FE CE CHigh Breakdown Voltage :V (sus)=200VMinCEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor drive applicationsHigh current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
2sd2275.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2275DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 4A, V = 5V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 4A, I = 4mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1502Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050