CBSL100 Todos los transistores

 

CBSL100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CBSL100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 310 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: FLG
 

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CBSL100 Datasheet (PDF)

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CBSL100

CBSL100NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI CBSL100 is Designed for PACKAGE STYLE .400 BAL FLG (C) A .080x45 B FULL R(4X).060 RFEATURES: EMD Input Matching Network C .1925 F Omnigold Metalization System G H NI LK JMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMinches / mm inches / mmIC 25 A .220 / 5.59 .230 / 5.

Otros transistores... 2SD2651 , 2SD2659 , 2SD2663 , 2SD2678 , 2SD2679 , 2SD2687S , 2SD2688LS , 2SD2689LS , 2SA1837 , NESG2101M05 , NESG2101M16 , NESG210719 , NESG2107M33 , NESG250134 , NESG260234 , NESG270034 , NESG3031M05 .

 

 
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