Справочник транзисторов. CBSL100

 

Биполярный транзистор CBSL100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CBSL100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: FLG
 

 Аналог (замена) для CBSL100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CBSL100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:17K  advanced-semi
 cbsl100.pdf pdf_icon

CBSL100

CBSL100NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI CBSL100 is Designed for PACKAGE STYLE .400 BAL FLG (C) A .080x45 B FULL R(4X).060 RFEATURES: EMD Input Matching Network C .1925 F Omnigold Metalization System G H NI LK JMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMinches / mm inches / mmIC 25 A .220 / 5.59 .230 / 5.

Другие транзисторы... 2SD2651 , 2SD2659 , 2SD2663 , 2SD2678 , 2SD2679 , 2SD2687S , 2SD2688LS , 2SD2689LS , 2SA1837 , NESG2101M05 , NESG2101M16 , NESG210719 , NESG2107M33 , NESG250134 , NESG260234 , NESG270034 , NESG3031M05 .

 

 
Back to Top

 


 
.