NESG4030M14 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NESG4030M14

Código: zK

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.105 W

Tensión colector-base (Vcb): 5 V

Tensión colector-emisor (Vce): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 27000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 270

Encapsulados: M14

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NESG4030M14 datasheet

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NESG4030M14

NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR NESG4030M14 NPN SiGe C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz Maximum stable power gain MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,

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