NESG4030M14 Todos los transistores

 

NESG4030M14 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NESG4030M14
   Código: zK
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.105 W
   Tensión colector-base (Vcb): 5 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 27000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: M14
 

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NESG4030M14 Datasheet (PDF)

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NESG4030M14

NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTORNESG4030M14NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,

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History: 2SB69 | FMS3

 

 
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