Биполярный транзистор NESG4030M14 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NESG4030M14
Маркировка: zK
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.105 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 27000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: M14
Аналоги (замена) для NESG4030M14
NESG4030M14 Datasheet (PDF)
..1. Size:206K nec
nesg4030m14.pdf
nesg4030m14.pdf
NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTORNESG4030M14NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050