Справочник транзисторов. NESG4030M14

 

Биполярный транзистор NESG4030M14 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NESG4030M14
   Маркировка: zK
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 27000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
   Корпус транзистора: M14
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NESG4030M14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  nec
 nesg4030m14.pdf pdf_icon

NESG4030M14

NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTORNESG4030M14NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | ED1401D

 

 
Back to Top

 


 
.