NESG4030M14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NESG4030M14

Маркировка: zK

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 27000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: M14

 Аналоги (замена) для NESG4030M14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NESG4030M14 даташит

 ..1. Size:206K  nec
 nesg4030m14.pdf pdf_icon

NESG4030M14

NPN SILICON GERMANIUM C RF TRANSISTOR NESG4030M14 NPN SiGe C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz Maximum stable power gain MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,

Другие транзисторы: NESG2107M33, NESG250134, NESG260234, NESG270034, NESG3031M05, NESG3031M14, NESG3032M14, NESG3033M14, TIP127, NESG2046M33, NESG204619, NESG2031M16, NESG2031M05, NESG2030M04, NESG2021M16, NESG2021M05, 2N4910X