2N6990 Todos los transistores

 

2N6990 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6990
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: 14PIN-FLAT
 

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2N6990 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  microsemi
 2n6989-2n6990.pdf pdf_icon

2N6990

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

 9.1. Size:403K  rca
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2N6990

 9.2. Size:198K  cdil
 2n699.pdf pdf_icon

2N6990

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 80 VVCBOCollector Base Voltage 120 VVEBOEmitter Base Voltage 5VPDTota

Otros transistores... NESG2030M04 , NESG2021M16 , NESG2021M05 , 2N4910X , 2N4911X , 2N6245 , 2N6989 , 2N6989U , 8550 , 2N7051 , 2N7052 , 2N7053 , 2N7368 , 2N7369 , 2N7370 , 2N7371 , 2N7372 .

History: 2SD553O

 

 
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