Справочник транзисторов. 2N6990

 

Биполярный транзистор 2N6990 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6990
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: 14PIN-FLAT
 

 Аналог (замена) для 2N6990

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6990 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  microsemi
 2n6989-2n6990.pdf pdf_icon

2N6990

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

 9.1. Size:403K  rca
 2n699.pdf pdf_icon

2N6990

 9.2. Size:198K  cdil
 2n699.pdf pdf_icon

2N6990

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 80 VVCBOCollector Base Voltage 120 VVEBOEmitter Base Voltage 5VPDTota

Другие транзисторы... NESG2030M04 , NESG2021M16 , NESG2021M05 , 2N4910X , 2N4911X , 2N6245 , 2N6989 , 2N6989U , 8550 , 2N7051 , 2N7052 , 2N7053 , 2N7368 , 2N7369 , 2N7370 , 2N7371 , 2N7372 .

 

 
Back to Top

 


 
.