2N6990. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6990

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: 14PIN-FLAT

 Аналоги (замена) для 2N6990

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6990 даташит

 0.1. Size:57K  microsemi
 2n6989-2n6990.pdf pdf_icon

2N6990

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

 9.1. Size:403K  rca
 2n699.pdf pdf_icon

2N6990

 9.2. Size:198K  cdil
 2n699.pdf pdf_icon

2N6990

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699 TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 80 V VCBO Collector Base Voltage 120 V VEBO Emitter Base Voltage 5V PD Tota

Другие транзисторы: NESG2030M04, NESG2021M16, NESG2021M05, 2N4910X, 2N4911X, 2N6245, 2N6989, 2N6989U, 2SC2655, 2N7051, 2N7052, 2N7053, 2N7368, 2N7369, 2N7370, 2N7371, 2N7372