FFB5551 Todos los transistores

 

FFB5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FFB5551
   Código: P1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC70-6
 

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FFB5551 Datasheet (PDF)

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FFB5551

FFB5551E2B2Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier This device is deisgned for general purpose high voltage amplifiers.C1 E1 is Pin 1.C2B1E1SC70-6Mark: .P1Absolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVCBO Collector-Base Voltage 180 VVEBO Emitter-Base Voltage 6.0 VIC Collector Curr

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FFB5551

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