FFB5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FFB5551

Маркировка: P1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC70-6

 Аналоги (замена) для FFB5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FFB5551 даташит

 ..1. Size:112K  fairchild semi
 ffb5551.pdf pdf_icon

FFB5551

FFB5551 E2 B2 Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier This device is deisgned for general purpose high voltage amplifiers. C1 E1 is Pin 1. C2 B1 E1 SC70-6 Mark .P1 Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6.0 V IC Collector Curr

 ..2. Size:314K  onsemi
 ffb5551.pdf pdf_icon

FFB5551

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы: FFB2227A, FMB2227A, FFB3904, FMB3904, FFB3906, FMB3906, FFB3946, FMB3946, 2SC828, FJA3835, FJAF4210, FJAF4310, FJC1308, FJC1386, FJC1963, FJC2383, FJC690