FJC1386 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJC1386

Código: FAP_FAQ_FAR

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-89

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FJC1386 datasheet

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FJC1386

July 2005 FJC1386 PNP Epitaxial Silicon Transistor Low Saturation Transistor Medium Power Amplifier Complement to FJC2098 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 8 6 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Uni

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FJC1386

July 2005 FJC1308 PNP Epitaxial Silicon Transistor Audio Power Amplifier Applications Complement to FJC1963 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 0 8 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Coll

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