FJC1386 Todos los transistores

 

FJC1386 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJC1386
   Código: FAP_FAQ_FAR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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FJC1386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  fairchild semi
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FJC1386

July 2005FJC1386PNP Epitaxial Silicon TransistorLow Saturation Transistor Medium Power Amplifier Complement to FJC2098 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation VoltageMarking1 3 8 6P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Uni

 9.1. Size:441K  fairchild semi
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FJC1386

July 2005FJC1308PNP Epitaxial Silicon TransistorAudio Power Amplifier Applications Complement to FJC1963 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation VoltageMarking1 3 0 8P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

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History: PH1090-700B | GET2906 | 2SC262

 

 
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