FJC1386. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJC1386

Маркировка: FAP_FAQ_FAR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для FJC1386

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJC1386 даташит

 ..1. Size:439K  fairchild semi
 fjc1386.pdf pdf_icon

FJC1386

July 2005 FJC1386 PNP Epitaxial Silicon Transistor Low Saturation Transistor Medium Power Amplifier Complement to FJC2098 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 8 6 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Uni

 9.1. Size:441K  fairchild semi
 fjc1308.pdf pdf_icon

FJC1386

July 2005 FJC1308 PNP Epitaxial Silicon Transistor Audio Power Amplifier Applications Complement to FJC1963 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 0 8 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Coll

Другие транзисторы: FMB3906, FFB3946, FMB3946, FFB5551, FJA3835, FJAF4210, FJAF4310, FJC1308, D882P, FJC1963, FJC2383, FJC690, FJC790, FJMA790, FJN13003, FJN3301R, FJN3302R