Справочник транзисторов. FJC1386

 

Биполярный транзистор FJC1386 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJC1386
   Маркировка: FAP_FAQ_FAR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJC1386 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  fairchild semi
 fjc1386.pdf pdf_icon

FJC1386

July 2005FJC1386PNP Epitaxial Silicon TransistorLow Saturation Transistor Medium Power Amplifier Complement to FJC2098 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation VoltageMarking1 3 8 6P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Uni

 9.1. Size:441K  fairchild semi
 fjc1308.pdf pdf_icon

FJC1386

July 2005FJC1308PNP Epitaxial Silicon TransistorAudio Power Amplifier Applications Complement to FJC1963 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation VoltageMarking1 3 0 8P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DD13009_C8 | MMBR4957LT3 | CX954E

 

 
Back to Top

 


 
.