FJC1963 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJC1963

Código: FCQ_FCR_FCS

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-89

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FJC1963 datasheet

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FJC1963

June 2009 FJC1963 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Audio Power Amplifier Applications Complement to FJC1308 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 9 6 3 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

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