FJC1963. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJC1963

Маркировка: FCQ_FCR_FCS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для FJC1963

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJC1963 даташит

 ..1. Size:110K  fairchild semi
 fjc1963.pdf pdf_icon

FJC1963

June 2009 FJC1963 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Audio Power Amplifier Applications Complement to FJC1308 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 9 6 3 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

Другие транзисторы: FFB3946, FMB3946, FFB5551, FJA3835, FJAF4210, FJAF4310, FJC1308, FJC1386, BD136, FJC2383, FJC690, FJC790, FJMA790, FJN13003, FJN3301R, FJN3302R, FJN3303