FJN13003 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJN13003

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 9

Encapsulados: TO92

 Búsqueda de reemplazo de FJN13003

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FJN13003 datasheet

 ..1. Size:49K  fairchild semi
 fjn13003.pdf pdf_icon

FJN13003

FJN13003 High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3.Base NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Volta

Otros transistores... FJAF4310, FJC1308, FJC1386, FJC1963, FJC2383, FJC690, FJC790, FJMA790, BD333, FJN3301R, FJN3302R, FJN3303, FJN3303R, FJN3304R, FJN3305R, FJN3306R, FJN3307R