FJN13003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN13003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для FJN13003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN13003 даташит

 ..1. Size:49K  fairchild semi
 fjn13003.pdf pdf_icon

FJN13003

FJN13003 High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3.Base NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Volta

Другие транзисторы: FJAF4310, FJC1308, FJC1386, FJC1963, FJC2383, FJC690, FJC790, FJMA790, BD333, FJN3301R, FJN3302R, FJN3303, FJN3303R, FJN3304R, FJN3305R, FJN3306R, FJN3307R