FJN965 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJN965

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 23 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 230

Encapsulados: TO-92

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FJN965 datasheet

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FJN965

FJN965 For Output Amplifier of Electronic Flash Unit Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Performance at Low Supply Voltage TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-

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