Биполярный транзистор FJN965 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FJN965
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
Корпус транзистора: TO-92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
FJN965 Datasheet (PDF)
fjn965.pdf

FJN965For Output Amplifier of Electronic Flash Unit Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Performance at Low Supply VoltageTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20 VVEBO Emitter-
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N1683 | 2SC2923 | 3CG953 | 2SA922-2 | PZTA28 | BC807K-16
History: 2N1683 | 2SC2923 | 3CG953 | 2SA922-2 | PZTA28 | BC807K-16



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264