FJN965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN965

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для FJN965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN965 даташит

 ..1. Size:83K  fairchild semi
 fjn965.pdf pdf_icon

FJN965

FJN965 For Output Amplifier of Electronic Flash Unit Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Performance at Low Supply Voltage TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы: FJN4308R, FJN4309R, FJN4310R, FJN4311R, FJN4312R, FJN4313R, FJN4314R, FJN5471, 2N2222A, FJNS3201R, FJNS3202R, FJNS3203R, FJNS3204R, FJNS3205R, FJNS3206R, FJNS3207R, FJNS3208R