FJP9100 Todos los transistores

 

FJP9100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJP9100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 275 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 110 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FJP9100 Datasheet (PDF)

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FJP9100

FJP9100High Voltage Power Darlington Transistor Built-in Resistor at Base-Emitter : R1(Typ.)=2000 Built-in Resistor at Base : RB(Typ.)=700 100TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorEquivalent CircuitAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedCSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Co

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