FJP9100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJP9100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 275 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 110 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-220

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FJP9100 datasheet

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FJP9100

FJP9100 High Voltage Power Darlington Transistor Built-in Resistor at Base-Emitter R1(Typ.)=2000 Built-in Resistor at Base RB(Typ.)=700 100 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Darlington Transistor Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Co

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