FJP9100 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

FJP9100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FJP9100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналоги (замена) для FJP9100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP9100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  fairchild semi
 fjp9100.pdf pdf_icon

FJP9100

FJP9100High Voltage Power Darlington Transistor Built-in Resistor at Base-Emitter : R1(Typ.)=2000 Built-in Resistor at Base : RB(Typ.)=700 100TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorEquivalent CircuitAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedCSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Co

Другие транзисторы... FJNS4208R , FJNS4210R , FJNS4211R , FJNS4212R , FJNS4213R , FJNS4214R , FJP5321 , FJP5355 , 13005 , FJPF5321 , FJPF9020 , FJT44 , FJV1845 , FJV3101R , FJV3102R , FJV3103R , FJV3104R .

History: SPT5008S1 | DTA114TE

 

 
Back to Top

 


 
.