FJP9100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJP9100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для FJP9100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP9100 даташит

 ..1. Size:70K  fairchild semi
 fjp9100.pdf pdf_icon

FJP9100

FJP9100 High Voltage Power Darlington Transistor Built-in Resistor at Base-Emitter R1(Typ.)=2000 Built-in Resistor at Base RB(Typ.)=700 100 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Darlington Transistor Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Co

Другие транзисторы: FJNS4208R, FJNS4210R, FJNS4211R, FJNS4212R, FJNS4213R, FJNS4214R, FJP5321, FJP5355, C3198, FJPF5321, FJPF9020, FJT44, FJV1845, FJV3101R, FJV3102R, FJV3103R, FJV3104R