Биполярный транзистор FJP9100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJP9100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-220
FJP9100 Datasheet (PDF)
..1. Size:70K fairchild semi
fjp9100.pdf
fjp9100.pdf
FJP9100High Voltage Power Darlington Transistor Built-in Resistor at Base-Emitter : R1(Typ.)=2000 Built-in Resistor at Base : RB(Typ.)=700 100TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorEquivalent CircuitAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedCSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Co
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050