FJV42MTF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJV42MTF
Código: 1DF
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FJV42MTF
FJV42MTF Datasheet (PDF)
fjv42mtf.pdf
March 2007FJV42NPN High Voltage Transistor3 2SOT-231Marking: 1DF1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 350 VVCEO Collector-Emitter Voltage 350 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 500 mATSTG Storage Temperature Range -55~150 CPC Collector Po
fjv42mtf.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: MPSA13RLRAG | 2SA1171
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