FJV42MTF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJV42MTF

Маркировка: 1DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FJV42MTF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV42MTF даташит

 ..1. Size:97K  fairchild semi
 fjv42mtf.pdf pdf_icon

FJV42MTF

March 2007 FJV42 NPN High Voltage Transistor 3 2 SOT-23 1 Marking 1DF 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 350 V VCEO Collector-Emitter Voltage 350 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 500 mA TSTG Storage Temperature Range -55 150 C PC Collector Po

 ..2. Size:273K  onsemi
 fjv42mtf.pdf pdf_icon

FJV42MTF

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJV4107R, FJV4108R, FJV4109R, FJV4110R, FJV4111R, FJV4112R, FJV4113R, FJV4114R, TIP120, FJV992, FJX1182, FJX2222A, FJX2907A, FJX3001R, FJX3002R, FJX3003R, FJX3004R