FJX1182 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJX1182

Código: SDO_SDY

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT-323

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FJX1182 datasheet

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FJX1182

FJX1182 Low Frequency Power Amplifier 3 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW TJ Junc

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