FJX1182 Todos los transistores

 

FJX1182 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJX1182
   Código: SDO_SDY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de FJX1182

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FJX1182 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 fjx1182.pdf pdf_icon

FJX1182

FJX1182Low Frequency Power Amplifier321SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -35 VVCEO Collector-Emitter Voltage -30 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -500 mAPC Collector Power Dissipation 150 mWTJ Junc

Otros transistores... FJV4109R , FJV4110R , FJV4111R , FJV4112R , FJV4113R , FJV4114R , FJV42MTF , FJV992 , 2N2907 , FJX2222A , FJX2907A , FJX3001R , FJX3002R , FJX3003R , FJX3004R , FJX3005R , FJX3006R .

History: PMD19D100

 

 
Back to Top

 


 
.