FJX1182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJX1182

Маркировка: SDO_SDY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для FJX1182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX1182 даташит

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 fjx1182.pdf pdf_icon

FJX1182

FJX1182 Low Frequency Power Amplifier 3 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW TJ Junc

Другие транзисторы: FJV4109R, FJV4110R, FJV4111R, FJV4112R, FJV4113R, FJV4114R, FJV42MTF, FJV992, A42, FJX2222A, FJX2907A, FJX3001R, FJX3002R, FJX3003R, FJX3004R, FJX3005R, FJX3006R