FMB200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMB200

Código: N2

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SSOT-6

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FMB200 datasheet

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FMB200

FMB200 C2 E1 C1 B2 E2 pin #1 B1 SuperSOT -6 Mark .N2 Dot denotes pin #1 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-

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