Справочник транзисторов. FMB200

 

Биполярный транзистор FMB200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FMB200
   Маркировка: N2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FMB200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMB200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  fairchild semi
 fmb200.pdf pdf_icon

FMB200

FMB200C2E1C1B2E2pin #1 B1SuperSOT-6Mark: .N2Dot denotes pin #1PNP Multi-Chip General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applications at collectorcurrents to 300 mA. Sourced from Process 68.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VVCBO Collector-

Другие транзисторы... FJY4009R , FJY4010R , FJY4011R , FJY4012R , FJY4013R , FJY4014R , FJYF2906 , FMB100 , 2N4401 , FMB5551 , FMB857B , FMBA06 , FMBA14 , FMBA56 , FMBM5401 , FMBM5551 , FMBS5401 .

History: HEPS0037

 

 
Back to Top

 


 
.