FMB200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMB200

Маркировка: N2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMB200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMB200 даташит

 ..1. Size:56K  fairchild semi
 fmb200.pdf pdf_icon

FMB200

FMB200 C2 E1 C1 B2 E2 pin #1 B1 SuperSOT -6 Mark .N2 Dot denotes pin #1 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-

Другие транзисторы: FJY4009R, FJY4010R, FJY4011R, FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, 2SB817, FMB5551, FMB857B, FMBA06, FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401