FMB857B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMB857B

Código: N2

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 220

Encapsulados: SSOT-6

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FMB857B datasheet

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FMB857B

September 2007 FMB857B PNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. C2 E1 C1 SSOT-6 B2 Mark .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1 B1 Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector

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