FMB857B Todos los transistores

 

FMB857B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMB857B
   Código: N2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
   Paquete / Cubierta: SSOT-6
 

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FMB857B Datasheet (PDF)

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FMB857B

September 2007FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.C2E1C1SSOT-6B2 Mark: .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1B1Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector

Otros transistores... FJY4011R , FJY4012R , FJY4013R , FJY4014R , FJYF2906 , FMB100 , FMB200 , FMB5551 , 8550 , FMBA06 , FMBA14 , FMBA56 , FMBM5401 , FMBM5551 , FMBS5401 , FMBS549 , FMBS5551 .

History: DRC9114W | TIP2955T | UMH5NFHA

 

 
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