FMB857B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMB857B
Código: N2
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
Paquete / Cubierta: SSOT-6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FMB857B
FMB857B Datasheet (PDF)
fmb857b.pdf
September 2007FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.C2E1C1SSOT-6B2 Mark: .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1B1Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MJD112T4 | 2N1136B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050