Биполярный транзистор FMB857B Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FMB857B
Маркировка: N2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SSOT-6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
FMB857B Datasheet (PDF)
fmb857b.pdf

September 2007FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.C2E1C1SSOT-6B2 Mark: .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1B1Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3326 | TEC8012 | L9013SLT3G | 2N6208 | 2SC2668Y | BLY89C | BCW33LT3G
History: 2SC3326 | TEC8012 | L9013SLT3G | 2N6208 | 2SC2668Y | BLY89C | BCW33LT3G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent