FMB857B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMB857B

Маркировка: N2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMB857B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMB857B даташит

 ..1. Size:94K  fairchild semi
 fmb857b.pdf pdf_icon

FMB857B

September 2007 FMB857B PNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. C2 E1 C1 SSOT-6 B2 Mark .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1 B1 Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector

Другие транзисторы: FJY4011R, FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, FMB5551, 2SC2655, FMBA06, FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551