Биполярный транзистор FMB857B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMB857B
Маркировка: N2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SSOT-6
FMB857B Datasheet (PDF)
..1. Size:94K fairchild semi
fmb857b.pdf
fmb857b.pdf
September 2007FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.C2E1C1SSOT-6B2 Mark: .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1B1Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
