Справочник транзисторов. FMB857B

 

Биполярный транзистор FMB857B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FMB857B
   Маркировка: N2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FMB857B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMB857B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  fairchild semi
 fmb857b.pdf pdf_icon

FMB857B

September 2007FMB857BPNP Epitaxial Silicon Transistor This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 300mA. Sourced from process 68.C2E1C1SSOT-6B2 Mark: .N2 pin #1 E2 Dot denotes pin #1B1Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector

Другие транзисторы... FJY4011R , FJY4012R , FJY4013R , FJY4014R , FJYF2906 , FMB100 , FMB200 , FMB5551 , 8550 , FMBA06 , FMBA14 , FMBA56 , FMBM5401 , FMBM5551 , FMBS5401 , FMBS549 , FMBS5551 .

History: MP5135 | 2SC2800

 

 
Back to Top

 


 
.