2N6326 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6326  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 6

Encapsulados: TO3

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2N6326 datasheet

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2N6326

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
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2N6326

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute

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