FMBM5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMBM5551
Código: 3S2
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SSOT-6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FMBM5551
FMBM5551 Datasheet (PDF)
fmbm5551.pdf
September 2008FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier This device has matched dies Sourced from process 16. See MMBT5551 for characteristicsC2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .3S2Dot denotes pin #1Absolute Maximum Ratings *Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVCBO Collector-Base Voltage 180 VVEBO Emitter-Base Voltage 6
fmbm5401.pdf
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier This device has matched dies in SuperSOT-6.C2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .4S2Absolute Maximum Ratings*Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -150 VVCBO Collector-Base Voltage -160 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current - Continuous -600 mATJ, TSTG Operating and Storage Junction
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N5551N | 2SD728 | UNR221D | 2SA1720 | 2N1396 | 2SC293S
History: 2N5551N | 2SD728 | UNR221D | 2SA1720 | 2N1396 | 2SC293S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050