FMBM5551 Todos los transistores

 

FMBM5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMBM5551
   Código: 3S2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SSOT-6
 

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FMBM5551 Datasheet (PDF)

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FMBM5551

September 2008FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier This device has matched dies Sourced from process 16. See MMBT5551 for characteristicsC2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .3S2Dot denotes pin #1Absolute Maximum Ratings *Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVCBO Collector-Base Voltage 180 VVEBO Emitter-Base Voltage 6

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FMBM5551

FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier This device has matched dies in SuperSOT-6.C2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .4S2Absolute Maximum Ratings*Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -150 VVCBO Collector-Base Voltage -160 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current - Continuous -600 mATJ, TSTG Operating and Storage Junction

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History: BDB01B | KRA740U | HEPS0009

 

 
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