FMBM5551 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMBM5551

Código: 3S2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SSOT-6

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FMBM5551 datasheet

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FMBM5551

September 2008 FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier This device has matched dies Sourced from process 16. See MMBT5551 for characteristics C2 E1 C1 B2 E2 B1 pin #1 SuperSOTTM-6 Mark .3S2 Dot denotes pin #1 Absolute Maximum Ratings * Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6

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FMBM5551

FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier This device has matched dies in SuperSOT-6. C2 E1 C1 B2 E2 B1 pin #1 SuperSOTTM-6 Mark .4S2 Absolute Maximum Ratings* Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VCBO Collector-Base Voltage -160 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current - Continuous -600 mA TJ, TSTG Operating and Storage Junction

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