Биполярный транзистор FMBM5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMBM5551
Маркировка: 3S2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSOT-6
FMBM5551 Datasheet (PDF)
fmbm5551.pdf
September 2008FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier This device has matched dies Sourced from process 16. See MMBT5551 for characteristicsC2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .3S2Dot denotes pin #1Absolute Maximum Ratings *Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVCBO Collector-Base Voltage 180 VVEBO Emitter-Base Voltage 6
fmbm5401.pdf
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier This device has matched dies in SuperSOT-6.C2E1C1B2E2B1pin #1SuperSOTTM-6Mark: .4S2Absolute Maximum Ratings*Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -150 VVCBO Collector-Base Voltage -160 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current - Continuous -600 mATJ, TSTG Operating and Storage Junction
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
