FMBM5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMBM5551

Маркировка: 3S2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBM5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBM5551 даташит

 ..1. Size:997K  fairchild semi
 fmbm5551.pdf pdf_icon

FMBM5551

September 2008 FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier This device has matched dies Sourced from process 16. See MMBT5551 for characteristics C2 E1 C1 B2 E2 B1 pin #1 SuperSOTTM-6 Mark .3S2 Dot denotes pin #1 Absolute Maximum Ratings * Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6

 9.1. Size:94K  fairchild semi
 fmbm5401.pdf pdf_icon

FMBM5551

FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier This device has matched dies in SuperSOT-6. C2 E1 C1 B2 E2 B1 pin #1 SuperSOTTM-6 Mark .4S2 Absolute Maximum Ratings* Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VCBO Collector-Base Voltage -160 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current - Continuous -600 mA TJ, TSTG Operating and Storage Junction

Другие транзисторы: FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B, FMBA06, FMBA14, FMBA56, FMBM5401, 2222A, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56, FPN330, FPN330A, FPN430