FMBSA56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMBSA56
Código: 2G1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SSOT-6
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FMBSA56 datasheet
fmbsa56.pdf
FMBSA56 NC PNP General Purpose Amplifier C1 This device is designed for general purpose amplifier applications at E collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73. B C C pin #1 SuperSOTTM-6 single Mark .2G1 Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VCBO Collector-Base Voltage -80
fmbsa06.pdf
FMBSA06 NC NPN General Purpose Amplifier C1 This device is designed for general purpose amplifier applications at E collector currents to 300 mA. Sourced from Process 12. B C C pin #1 SuperSOTTM-6 single Mark .1G1 Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V
Otros transistores... FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, TIP2955, FPN330, FPN330A, FPN430, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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