FMBSA56 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMBSA56
Código: 2G1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SSOT-6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FMBSA56
FMBSA56 Datasheet (PDF)
fmbsa56.pdf
FMBSA56NCPNP General Purpose AmplifierC1 This device is designed for general purpose amplifier applications at Ecollector currents to 300 mA. Sourced from Process 73.BCCpin #1SuperSOTTM-6 singleMark: .2G1Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -80 VVCBO Collector-Base Voltage -80
fmbsa06.pdf
FMBSA06NCNPN General Purpose AmplifierC1 This device is designed for general purpose amplifier applications at Ecollector currents to 300 mA. Sourced from Process 12.BCCpin #1SuperSOTTM-6 singleMark: .1G1Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 80 V
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050