FMBSA56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMBSA56

Маркировка: 2G1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBSA56

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBSA56 даташит

 ..1. Size:87K  fairchild semi
 fmbsa56.pdf pdf_icon

FMBSA56

FMBSA56 NC PNP General Purpose Amplifier C1 This device is designed for general purpose amplifier applications at E collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73. B C C pin #1 SuperSOTTM-6 single Mark .2G1 Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VCBO Collector-Base Voltage -80

 9.1. Size:97K  fairchild semi
 fmbsa06.pdf pdf_icon

FMBSA56

FMBSA06 NC NPN General Purpose Amplifier C1 This device is designed for general purpose amplifier applications at E collector currents to 300 mA. Sourced from Process 12. B C C pin #1 SuperSOTTM-6 single Mark .1G1 Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V

Другие транзисторы: FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, TIP2955, FPN330, FPN330A, FPN430, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A