FPN430 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FPN430

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-226

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FPN430 datasheet

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FPN430

FPN430 FPN430A TO-226 C B E PNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2.0 A continuous. Sourced from Process PB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 35 V VEBO Emitter-Base

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