FPN430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FPN430

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для FPN430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN430 даташит

 ..1. Size:48K  fairchild semi
 fpn430.pdf pdf_icon

FPN430

FPN430 FPN430A TO-226 C B E PNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2.0 A continuous. Sourced from Process PB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 35 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы: FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56, FPN330, FPN330A, 2SA1015, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, FPN660