Справочник транзисторов. FPN430

 

Биполярный транзистор FPN430 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FPN430
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-226
 

 Аналог (замена) для FPN430

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  fairchild semi
 fpn430.pdf pdf_icon

FPN430

FPN430FPN430ATO-226CBEPNP Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 2.0 A continuous.Sourced from Process PB.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 35 VVEBO Emitter-Base

Другие транзисторы... FMBM5551 , FMBS5401 , FMBS549 , FMBS5551 , FMBSA06 , FMBSA56 , FPN330 , FPN330A , 2SC2240 , FPN430A , FPN530 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , FPN660 .

 

 
Back to Top

 


 
.