FPN660 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FPN660

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-226

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FPN660 datasheet

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FPN660

FPN660/FPN660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FPN660 FPN660A Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 V VCBO Collector-Base Voltage 80 60 V V

Otros transistores... FPN430, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, MPSA42, FPN660A, FPNH10, FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A