FPN660 Todos los transistores

 

FPN660 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FPN660
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-226
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FPN660 Datasheet (PDF)

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FPN660

FPN660/FPN660APNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 FPN660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 60 VV

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
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