Справочник транзисторов. FPN660

 

Биполярный транзистор FPN660 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FPN660
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-226
 

 Аналог (замена) для FPN660

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 fpn660.pdf pdf_icon

FPN660

FPN660/FPN660APNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 FPN660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 60 VV

Другие транзисторы... FPN430 , FPN430A , FPN530 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , 13001-A , FPN660A , FPNH10 , FSB560 , FSB560A , FSB619 , FSB649 , FSB660 , FSB660A .

History: 2SC3332S | DTA210 | 2SB1125 | MP4964 | DDBY403001 | BU2508A | BUD87

 

 
Back to Top

 


 
.