FPN660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FPN660

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для FPN660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN660 даташит

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 fpn660.pdf pdf_icon

FPN660

FPN660/FPN660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FPN660 FPN660A Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 V VCBO Collector-Base Voltage 80 60 V V

Другие транзисторы: FPN430, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, MPSA42, FPN660A, FPNH10, FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A