FPNH10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FPNH10

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-92

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FPNH10 datasheet

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FPNH10

FPNH10 C TO-92 B E NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 A to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO C

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