FPNH10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FPNH10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для FPNH10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPNH10 даташит

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 fpnh10.pdf pdf_icon

FPNH10

FPNH10 C TO-92 B E NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 A to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO C

Другие транзисторы: FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, FPN660, FPN660A, 431, FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749