Справочник транзисторов. FPNH10

 

Биполярный транзистор FPNH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FPNH10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FPNH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 fpnh10.pdf pdf_icon

FPNH10

FPNH10C TO-92BENPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,with collector currents in the 100 A to 20 mA range in commonemitter or common base mode of operations, and in low frequencydrift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.