Справочник транзисторов. FPNH10

 

Биполярный транзистор FPNH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FPNH10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FPNH10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPNH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 fpnh10.pdf pdf_icon

FPNH10

FPNH10C TO-92BENPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,with collector currents in the 100 A to 20 mA range in commonemitter or common base mode of operations, and in low frequencydrift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO C

Другие транзисторы... FPN530 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , FPN660 , FPN660A , TIP32C , FSB560 , FSB560A , FSB619 , FSB649 , FSB660 , FSB660A , FSB6726 , FSB749 .

History: 2SD2462 | 2SB342 | TMPT3903 | NSS20200LT1G | BER52 | KRA754F | CL151-4A

 

 
Back to Top

 


 
.