FSB649 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSB649

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SSOT-3 SOT-23

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FSB649 datasheet

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FSB649

FSB649 C E B SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Sourced from Process NC. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB649 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-Base Voltage 5 V VEBO Emit

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