Биполярный транзистор FSB649 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FSB649
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23
FSB649 Datasheet (PDF)
..1. Size:30K fairchild semi
fsb649.pdf
fsb649.pdf
FSB649CEB SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Sourced from Process NC. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FSB649 Units25 VVCEO Collector-Emitter Voltage35 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO Emit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050