FSB649 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

FSB649 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FSB649
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23
 

 Аналоги (замена) для FSB649

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:30K  fairchild semi
 fsb649.pdf pdf_icon

FSB649

FSB649CEB SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Sourced from Process NC. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FSB649 Units25 VVCEO Collector-Emitter Voltage35 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO Emit

Другие транзисторы... FPN630 , FPN630A , FPN660 , FPN660A , FPNH10 , FSB560 , FSB560A , FSB619 , TIP36C , FSB660 , FSB660A , FSB6726 , FSB749 , FSBCW30 , FTM3725 , FZT3019 , KSA1015 .

 

 
Back to Top

 


 
.