FSB649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSB649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23

 Аналоги (замена) для FSB649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB649 даташит

 ..1. Size:30K  fairchild semi
 fsb649.pdf pdf_icon

FSB649

FSB649 C E B SuperSOTTM-3 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Sourced from Process NC. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB649 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-Base Voltage 5 V VEBO Emit

Другие транзисторы: FPN630, FPN630A, FPN660, FPN660A, FPNH10, FSB560, FSB560A, FSB619, D882P, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749, FSBCW30, FTM3725, FZT3019, KSA1015