FSB660 Todos los transistores

 

FSB660 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSB660
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SSOT-3 SOT-23
 

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FSB660 Datasheet (PDF)

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FSB660

FSB660 / FSB660ACEB SuperSOTTM-3 (SOT-23) PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FSB660/FSB660A Units60 VVCEO Collector-Emitter Voltage60 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO

 0.1. Size:351K  onsemi
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FSB660

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History: RN4987FS | 2N5985 | MP15A | KA4A4Z | BDS15 | NSVBC817-16LT1G | BD371A-25

 

 
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