FSB660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSB660

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23

 Аналоги (замена) для FSB660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB660 даташит

 ..1. Size:53K  fairchild semi
 fsb660 a.pdf pdf_icon

FSB660

FSB660 / FSB660A C E B SuperSOTTM-3 (SOT-23) PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB660/FSB660A Units 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VCBO Collector-Base Voltage 5 V VEBO

 0.1. Size:351K  onsemi
 fsb660a.pdf pdf_icon

FSB660

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы: FPN630A, FPN660, FPN660A, FPNH10, FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, BD136, FSB660A, FSB6726, FSB749, FSBCW30, FTM3725, FZT3019, KSA1015, KSA1203