Справочник транзисторов. FSB660

 

Биполярный транзистор FSB660 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FSB660
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23
 

 Аналог (замена) для FSB660

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  fairchild semi
 fsb660 a.pdf pdf_icon

FSB660

FSB660 / FSB660ACEB SuperSOTTM-3 (SOT-23) PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FSB660/FSB660A Units60 VVCEO Collector-Emitter Voltage60 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO

 0.1. Size:351K  onsemi
 fsb660a.pdf pdf_icon

FSB660

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы... FPN630A , FPN660 , FPN660A , FPNH10 , FSB560 , FSB560A , FSB619 , FSB649 , BD136 , FSB660A , FSB6726 , FSB749 , FSBCW30 , FTM3725 , FZT3019 , KSA1015 , KSA1203 .

History: BUD87 | CST1743 | ECG2302

 

 
Back to Top

 


 
.