FSBCW30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSBCW30  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 215

Encapsulados: SSOT-3 SOT-23

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FSBCW30 datasheet

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FSBCW30

Discrete POWER & Signal Technologies FSBCW30 C E B SuperSOTTM-3 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See BC857A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter

Otros transistores... FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749, D667, FTM3725, FZT3019, KSA1015, KSA1203, KSA1281, KSA1625, KSB1116S, KSB798