2N6329 Todos los transistores

 

2N6329 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6329

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 6

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de 2N6329

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6329 datasheet

 ..1. Size:21K  microsemi
 2n6329.pdf pdf_icon

2N6329

 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
 2n6329.pdf pdf_icon

2N6329

isc Silicon PNP Power Transistor 2N6329 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-60V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage -60 V CBO V Collector-Emitter Voltage -6

 9.1. Size:150K  jmnic
 2n6326 2n6327 2n6328.pdf pdf_icon

2N6329

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 9.2. Size:22K  microsemi
 2n6328.pdf pdf_icon

2N6329

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N6321 , 2N6322 , 2N6323 , 2N6324 , 2N6325 , 2N6326 , 2N6327 , 2N6328 , C945 , 2N633 , 2N6330 , 2N6331 , 2N6338 , 2N6338A , 2N6339 , 2N6339A , 2N6339X .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.