2N6329 - описание и поиск аналогов

 

2N6329. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6329

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6329

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6329 даташит

 ..1. Size:21K  microsemi
 2n6329.pdf pdf_icon

2N6329

 ..2. Size:219K  inchange semiconductor
 2n6329.pdf pdf_icon

2N6329

isc Silicon PNP Power Transistor 2N6329 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-60V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage -60 V CBO V Collector-Emitter Voltage -6

 9.1. Size:150K  jmnic
 2n6326 2n6327 2n6328.pdf pdf_icon

2N6329

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 9.2. Size:22K  microsemi
 2n6328.pdf pdf_icon

2N6329

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6321, 2N6322, 2N6323, 2N6324, 2N6325, 2N6326, 2N6327, 2N6328, C945, 2N633, 2N6330, 2N6331, 2N6338, 2N6338A, 2N6339, 2N6339A, 2N6339X

 

 

 

 

↑ Back to Top
.