MPSW3725 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPSW3725

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-226

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MPSW3725 datasheet

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MPSW3725

MPSW3725 TO-226 C B E NPN Transistor This device is designed for high current, low impedance line driver applications. Sourced from Process 26. Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6.0 V IC Collector Current - Continuous 1.2 A -55 to +15

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