MPSW3725 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPSW3725  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-226

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MPSW3725

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSW3725 даташит

 ..1. Size:67K  fairchild semi
 mpsw3725.pdf pdf_icon

MPSW3725

MPSW3725 TO-226 C B E NPN Transistor This device is designed for high current, low impedance line driver applications. Sourced from Process 26. Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6.0 V IC Collector Current - Continuous 1.2 A -55 to +15

Другие транзисторы: MMBT4401K, MMBT4403K, MMBT5770, MMBTH10RG, MMBTH11, MMBTH34, MP4501, MP4504, BC327, NTE291, NTE292, NZT560, NZT560A, NZT605, NZT651, NZT660, NZT660A