NZT605 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NZT605

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 110 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: SOT-223

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NZT605 datasheet

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NZT605

January 2007 NZT605 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2.4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 110 V

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