NZT605. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NZT605

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для NZT605

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NZT605 даташит

 ..1. Size:81K  fairchild semi
 nzt605.pdf pdf_icon

NZT605

January 2007 NZT605 NPN Darlington Transistor This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2.4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings * TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 110 V

Другие транзисторы: MMBTH34, MP4501, MP4504, MPSW3725, NTE291, NTE292, NZT560, NZT560A, 2SC1815, NZT651, NZT660, NZT660A, NZT6714, TN6714A, NZT6715, TN6715A, NZT6717