TN5320A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN5320A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 75 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO-226

 Búsqueda de reemplazo de TN5320A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TN5320A datasheet

 ..1. Size:88K  fairchild semi
 tn5320a.pdf pdf_icon

TN5320A

September 2007 TN5320A PNP High Voltage Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A. Sourced from Process 34. 1 TO-226 1. Collector 2. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitte

 9.1. Size:527K  supertex
 tn5325.pdf pdf_icon

TN5320A

TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance and high gain transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Free from secondary breakdown combination produces a device

Otros transistores... SD1398, SJ5436, SJ5437, SJ5439, STS8550, TN3019A, TN3440A, TN4033A, BC549, TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A