TN5320A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TN5320A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO-226
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TN5320A
TN5320A Datasheet (PDF)
tn5320a.pdf
September 2007TN5320APNP High Voltage Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A. Sourced from Process 34. 1TO-2261. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitte
tn5325.pdf
TN5325N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance and high gaintransistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Free from secondary breakdowncombination produces a device
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
