TN5320A Todos los transistores

 

TN5320A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN5320A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO-226
 

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TN5320A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  fairchild semi
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TN5320A

September 2007TN5320APNP High Voltage Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A. Sourced from Process 34. 1TO-2261. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitte

 9.1. Size:527K  supertex
 tn5325.pdf pdf_icon

TN5320A

TN5325N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance and high gaintransistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Free from secondary breakdowncombination produces a device

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